- Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
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大容量 DDR1 是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器,由 1 个或多个 DDR1 基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
产品特性 |
总容量: 1G~8G;
访问速度:最快达 7.5ns ;
数据宽度: 8 位, 16 位, 72 位;
电源电压: 2.5V ;
典型产品辐照指标:
TID: > 50 krad ( Si )
SEL: > 80 Mev·cm 2 /mg
SEU: > 0.7 Mev·cm 2 /mg
工作温度: - 55 ℃ ~105 ℃。
产品列表 |
#
|
DDR1 |
存储容量(bit)
|
存储组织
|
电压
|
访问速度
|
抗辐射
|
封装
|
温度等级
|
筛选等级
|
质量等级
|
||
TID
1
|
SEL
2
|
SEU
3
|
||||||||||
1
|
VD1D1G16xS66xx1T7B
|
1G
|
64M*16
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP66
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
2
|
VD1D2G16xS66xx2T7B
|
2G
|
128M*16
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP66
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
3
|
VD1D2G32xS86xx2T7B
|
2G
|
64M*32
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP86
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
4
|
VD1D8G08xS66xx8T7B
|
8G
|
1G*8
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP66
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
5
|
VD1D8G08xS66xx8T7B-
Ⅱ
|
8G
|
1G*8
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP66
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
6
|
VD1D8G16xS78xx8T7B
|
8G
|
512M*16
|
2.5V
|
7.5 ns
|
>50
|
>80
|
>0.7
|
SOP78
|
E、I、S
|
E、B、S
|
EE、IB、SS
|
相关下载 |
VD1D1G16xS66xx1T7B user manual.pdf
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|
VD1D2G16xS66xx2T7B user manual.pdf
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|
VD1D2G32xS86xx2T7B user manual.pdf
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|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf
|
|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf
|
|
VD1d8G16xS78xx8T7B user manual.pdf
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|
立体封装模块焊接后清洗建议.pdf
|
|
立体封装模块加固建议.pdf
|
|
立体封装模块手工装配工艺建议.pdf
|
|
立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf
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